收藏本站
DMN62D0SFD
1
T A = 150°C
0.1
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.01
T A = -55°C
0.001
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristic
V GS = 5.0V
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 2 Maximum Forward Current
vs. Source-Drain Voltage
V GS = 10V
1.1
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
I D , DRAIN CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
V GS = 10 V
I D = 300mA
V GS = 10 V
I D = 150A
I D , DRAIN CURRENT
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
I D = 1mA
50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMN62D0SFD
Document number: DS35473 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN65D8LDW-7 MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363
DMN65D8LFB-7B MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3
DMN65D8LW-7 MOSFET N CH 60V 300MA SOT323
DMN66D0LDW-7 MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363
DMN66D0LT-7 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
DMP1022UFDE-7 MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E
DMP1096UCB4-7 MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
DMP1245UFCL-7 MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
相关代理商/技术参数
DMN62D1SFB-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN63D0LT-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN63D8LDW-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 30V 220MA SOT363
DMN63D8LDW-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363
DMN63D8LV-7 功能描述:MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN65D8L-7 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN65D8LDW-7 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN65D8LFB-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube